三星電子研發(fā)出首款支持CXL 2.0的CXL DRAM
5月12日,三星電子宣布,研發(fā)出其首款支持Compute Express Link™(CXL™)2.0的128GB DRAM。同時(shí),三星與英特爾密切合作,在英特爾®至強(qiáng)®平臺(tái)上取得了具有里程碑意義的進(jìn)展。
繼2022年五月,三星電子研發(fā)出其首款基于CXL 1.1的CXL DRAM(內(nèi)存擴(kuò)展器)后,又繼續(xù)推出支持CXL 2.0的128GB CXL DRAM,預(yù)計(jì)將加速下一代存儲(chǔ)解決方案的商用化。該解決方案支持PCIe 5.0(x8通道),提供高達(dá)每秒35GB的帶寬。
CXL 2.0是三星有史以來第一個(gè)支持內(nèi)存池(Pooling)的產(chǎn)品。內(nèi)存池是一種內(nèi)存管理技術(shù),它將服務(wù)器平臺(tái)上的多個(gè)CXL內(nèi)存塊綁定在一起,形成一個(gè)內(nèi)存池,使多個(gè)主機(jī)能夠根據(jù)需要從池中動(dòng)態(tài)分配內(nèi)存。這項(xiàng)新技術(shù)使客戶盡可能的降本增效,從而幫助企業(yè)將有限的資源重新投資于增強(qiáng)服務(wù)器內(nèi)存中去。
三星電子計(jì)劃于今年年底之前開始量產(chǎn)這一最新的CXL 2.0 DRAM,并準(zhǔn)備推出多種容量的產(chǎn)品,以滿足快速變化的下一代計(jì)算市場,進(jìn)一步加速擴(kuò)大CXL生態(tài)系統(tǒng)。

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